Ciao,
immagino che tu ti riferisca ad un diodo Zener.
Il diodo si deve trovare in condizioni di polarizzazione inversa. Ovvero il potenziale più alto al catodo e più basso all'anodo.
In queste condizioni avviene il fenomeno di breakdown in questo caso controllato (se non si superano dei limiti di tensione e corrente massima applicabili).
Esistono 2 possibili effetti a seconda della tensione applicata.
Se la tensione è inferiore a 5.5 V circa, il breakdown é di tipo Zener vero e proprio dovuto alla particolare struttura del diagramma a bande delle zone n e p a cavallo della giunzione (che sono molto drogate quasi al limite della degenerazione del semiconduttore). In questo modo è possibile un passaggio di cariche tra le due zone per effetto tunnel.
Se invece la tensione inversa è superiore a 5.5 V si ha un breakdown a valanga che nei diodi non specifici per lavorare in questa regione (di polarizzazione inversa), e chiamati genericamente Zener, può essere distruttivo. In questo caso si instaura un forte campo elettrico a cavallo delle giunzioni che accelera le cariche libere. Queste ricevono energia dal campo tale che urtando con il reticolo cristallino possono generare altre cariche libere innescando un fenomeno di generazione a valanga. Vista la natura del fenomeno se non si procede con attenzione si possono generare correnti molto intense che possono danneggiare il dispositivo stesso.
Invece un diodo si trova in regione di conduzione se è polarizzato direttamente e si supera un tensione di soglia dovuta al potenziale di built-in che si crea a cavallo della giunzione stessa. Tipicamente per giunzioni p-n in silicio tale tensione di soglia è attorno a 0.6 V. Nel caso di giunzioni metallo-semiconduttore (diodi Shocttky) la tensione è attorno a 0.2-0.3 V.
Spero di essere stato di aiuto.